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MOSFET de potencia de canal N de 50 A, 60 V, TO-220AB
- Tecnología MEGAFET para rendimiento superior
- Optimización del silicio con proceso similar a LSI
- Diseñado para reguladores y convertidores de conmutación
- Compatible con controladores de motores y relés
- Operación directa desde circuitos integrados
- Corriente de drenaje de 50 A, 60 V
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Especificaciones tecnicas de SYSCOM PARTS 50-N-06
Los MOSFET de potencia de canal N se fabrican mediante el proceso MegaFET. Este proceso, que utiliza tamaños de características similares a los de los circuitos integrados LSI, ofrece una utilización óptima del silicio, lo que se traduce en un rendimiento excepcional. Se han diseñado para su uso en aplicaciones como reguladores de conmutación, convertidores de conmutación, controladores de motores y controladores de relés. Estos transistores pueden funcionar directamente desde circuitos integrados.
Características Principales
- Tecnología MEGAFET para rendimiento superior
- Optimización del silicio con proceso similar a LSI
- Diseñado para reguladores y convertidores de conmutación
- Compatible con controladores de motores y relés
- Operación directa desde circuitos integrados
- Corriente de drenaje de 50 A, 60 V
