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Transistor de Silicio NPN, 2-30 MHz, 12.5 Vcc, 12.5 Watt, 211-07.
- Transistor NPN de silicio para aplicaciones RF
- Frecuencia de operación de 2 a 30 MHz
- Potencia máxima de 12.5 Watts
- Voltaje colector-emisor de 12.5 VCC
- Encapsulado estándar 211-07 para fácil montaje
- Diseñado para alta eficiencia en RF
Modelo
MRF433
Marca
SAT
32111607Transistores bipolares de radiofrecuencia (rf) o darlington
3 años de garantía
Precio de lista:$629.30-57%
MXN
$272.69
IVA incluido
TC: $17.50 MXN/USD · IVA 16% incluido
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Especificaciones tecnicas de SYSCOM MRF433
Características Principales
- Transistor NPN de silicio para aplicaciones RF
- Frecuencia de operación entre 2 y 30 MHz
- Manejo de potencia hasta 12.5 Watts
- Voltaje de colector-emisor hasta 12.5 VCC
- Encapsulado estándar 211-07 para fácil montaje
Características Principales
- Transistor NPN de silicio para aplicaciones RF
- Frecuencia de operación de 2 a 30 MHz
- Potencia máxima de 12.5 Watts
- Voltaje colector-emisor de 12.5 VCC
- Encapsulado estándar 211-07 para fácil montaje
- Diseñado para alta eficiencia en RF
